[发明专利]一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910559526.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416310A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;吴音 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极；制备方法具体步骤包括：a）制备得到前驱体溶液；b）制备双氧水前驱体溶液；c）将双氧水前驱体溶液超声震荡15‑60分钟；d）清洗高掺硅衬底；e）将配备好的双氧水前驱体溶液旋涂在清洗好的高掺硅衬底上；f）将旋涂好双氧水前驱体溶液的高掺硅衬底置于热板上退火形成介电层；g）制备半导体层；h）沉积上金属电极和栅电极。本案提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双氧水 制备 前驱体溶液 薄膜晶体管器件 硅衬底 上金属电极 抗辐射性 半导体层 介电层 栅电极 旋涂 清洗 退火 超声震荡 传统工艺 依次设置 有效控制 漏电极 源电极 沉积 热板 兼容 配备 | ||
【主权项】：
1.一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件，其特征在于：包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极。
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