[发明专利]一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法有效
| 申请号： | 201910559729.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110400837B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;吴音 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法，包括绝缘衬底，栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极；具体步骤包括：a)绝缘衬底的清洗处理；b)制备栅电极；c)表面处理；d）溶液燃烧法制备栅极绝缘层；e)等离子体处理栅极绝缘层；f）制备金属氧化物半导体层；g）源电极和漏电极的制备。本发明提供了一种成本低廉，工艺简单环保，产品性能优越的金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 增强 溶液 燃烧 法制 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极和漏电极；所述绝缘衬底上依次设置有栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层；所述金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极。
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