[发明专利]一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201910559817.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110299448A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;黄彦博 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;吴音 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层；制备具体步骤包括：a）基底清洗；b）制备阻变氧化层；c）制备顶电极层；d）制备保护层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 阻变氧化层 顶电极层 掺杂金属氧化物 随机存取存储器 氧化层 掺杂 制备具体步骤 金属氧化层 掺杂金属 工业应用 工艺制备 基底清洗 阻变特性 保护层 纯金属 低成本 顶电极 溶液法 单层 基底 投资 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器，其特征在于：包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层；所述基底包括层叠设置的上层的底电极层和下层的绝缘层。
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