[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910559880.9 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660701A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 梅﨑翔太;池田义谦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够在处理基片时减少气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从基片被送入的送入送出口到基片处理部的第一空间与第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与隔壁部连接，对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与隔壁部中的与第一气体供给部不同的部位连接，向第一空间供给上述气氛调节气体。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供给部 第一空间 基片处理 气氛调节 隔壁部 送入 基片处理装置 第二空间 供给调节 液体处理 送出口 分隔 隔壁 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n对基片实施液体处理的基片处理部；/n将从用于送入所述基片的送入送出口到所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间之间分隔开的隔壁部；/n与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的第一气体供给部；和/n与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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