[发明专利]一种降低寄生光响应的全局像素单元结构和形成方法在审
申请号: | 201910560970.X | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110299374A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 顾学强 | 申请(专利权)人: | 上海微阱电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种降低寄生光响应的全局像素单元结构,包括设于衬底上的光电二极管,传输管,存储节点,以及覆盖于衬底上的层间介质层,层间介质层中设有金属互连层,且金属互连层位于任意相邻两个像素单元的光电二极管之间的上方区域,光电二极管上方的层间介质层中还设有深沟槽,深沟槽的底面与光电二极管的上表面相隔离,一复合挡光结构覆盖于深沟槽的侧壁上,其在深沟槽的上下两端形成开口,并延伸覆盖于层间介质层的上表面上,将其下方层间介质层中的金属互连层完全绝缘遮蔽,因此储存节点的信号不会受到入射光线的影响,避免了输出信号的失真。本发明还公开了一种降低寄生光响应的全局像素单元结构的形成方法。 | ||
搜索关键词: | 层间介质层 光电二极管 深沟槽 像素单元结构 金属互连层 光响应 寄生 上表面 衬底 全局 挡光 储存节点 存储节点 结构覆盖 绝缘遮蔽 入射光线 上方区域 上下两端 输出信号 像素单元 延伸覆盖 传输管 介质层 下方层 侧壁 底面 失真 开口 隔离 复合 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种降低寄生光响应的全局像素单元结构,其特征在于,包括设于衬底上的光电二极管,传输管,存储节点,以及覆盖于所述衬底上的层间介质层,所述层间介质层中设有金属互连层,且所述金属互连层位于任意相邻两个像素单元的光电二极管之间的上方区域,所述光电二极管上方的所述层间介质层中还设有深沟槽,所述深沟槽的底面与所述光电二极管的上表面相隔离,一复合挡光结构覆盖于所述深沟槽的侧壁上,其在所述深沟槽的上下两端形成开口,并延伸覆盖于所述层间介质层的上表面上,将其下方所述层间介质层中的所述金属互连层完全绝缘遮蔽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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