[发明专利]一种双副室单晶硅筒生长炉及单晶硅生长方法在审
| 申请号： | 201910561717.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110129879A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈亚雄;许颖;陈景鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市全普科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双副室单晶硅筒生长炉，包括主室，主室连接有真空泵，主室内安装有坩埚，主室的顶部对称设置有两个与主室连通的副室，主室内表面安装有加热装置；副室顶部通过转盘安装有提拉电机，提拉电机通过提拉线连接有夹持机构，夹持机构夹持有籽晶硅筒，副室底部安装有导流筒，导流筒内设置有冷却水循环管。本发明能够改进现有技术的不足，提高提拉法制作晶体硅筒靶材的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 副室 主室 提拉 单晶硅 夹持机构 导流筒 生长炉 电机 冷却水循环管 单晶硅生长 对称设置 加热装置 室内安装 室内表面 晶体硅 良品率 提拉线 真空泵 靶材 转盘 籽晶 坩埚 连通 改进 | ||
【主权项】：
1.一种双副室单晶硅筒生长炉，包括主室(1)，主室(1)连接有真空泵(2)，主室(1)内安装有坩埚(3)，其特征在于：主室(1)的顶部对称设置有两个与主室(1)连通的副室(4)，主室(1)内表面安装有加热装置(5)；副室(4)顶部通过转盘(19)安装有提拉电机(6)，提拉电机(6)通过提拉线(7)连接有夹持机构(8)，夹持机构(8)夹持有籽晶硅筒(9)，副室(4)底部安装有导流筒(10)，导流筒(10)内设置有冷却水循环管(11)。
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