[发明专利]量子点发光材料及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910562782.0 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110311046A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 何波;吴永伟;江沛 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了量子点发光材料及其制作方法。所述量子点发光材料包括:空穴注入层,所述空穴注入层包括均匀分布的氧化镍和氧化石墨烯;空穴传输层,所述空穴传输层位于所述空穴注入层上;量子点发光层,所述量子点发光层位于所述空穴传输层上,所述量子点发光层包括均匀分布的钙钛矿纳米点;电子传输层,所述电子传输层位于所述量子点发光层上;电子注入层,所述电子注入层位于所述电子传输层上。本申请提供等量子点发光材料及其制作方法能够提高量子点发光材料中的载流子迁移率。
搜索关键词: 量子点发光材料 发光层 量子点 电子传输层 空穴传输层 空穴注入层 电子注入层 制作 载流子迁移率 氧化石墨烯 钙钛矿 纳米点 氧化镍 申请
【主权项】:
1.一种量子点发光材料,其特征在于,所述量子点发光材料包括:空穴注入层,所述空穴注入层包括均匀分布的氧化镍和氧化石墨烯;空穴传输层,所述空穴传输层位于所述空穴注入层上;量子点发光层,所述量子点发光层位于所述空穴传输层上,所述量子点发光层包括均匀分布的钙钛矿纳米点;电子传输层,所述电子传输层位于所述量子点发光层上;电子注入层,所述电子注入层位于所述电子传输层上。
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