[发明专利]一种光电探测芯片及一种光电探测器在审

专利信息
申请号: 201910562992.X 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110459641A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 李震;高汉杰;卢国能;塞巴斯蒂安·勒博;陶忠良;俞莹;吕琳;李天军;郝然;沈秋明;常苏;王宁;孙学光;林鑫磊;胡硕霞;陈志刚;程燕波;刘翔 申请(专利权)人: 杭州芯河光电科技有限公司
主分类号: H01L31/103 分类号: H01L31/103;H01L27/144
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王云晓<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 310015浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种光电探测芯片,包括衬底、n型扩散层和p型扩散层;n型扩散层和p型扩散层沿衬底的厚度方向交替分布,以在衬底中形成沿衬底厚度方向分布的多个pn结。每个pn结均可以当做一个感光二级管,在工作时任一个pn结均会根据接收的光线生成对应的电流,以便根据该电流对接收的光信号进行检测。由于在垂直方向上叠加了多个pn结,而每个pn结均可以对获取的光线做出感应,使得光电探测芯片在原本的一个感光面积上叠加了多层感光面积,从而使得光电探测芯片具有较大的感光面积。本发明还提供了一种光电探测器,同样具有上述有益效果。
搜索关键词: 感光 光电探测芯片 衬底 叠加 衬底厚度方向 光电探测器 交替分布 二级管 多层 检测
【主权项】:
1.一种光电探测芯片,其特征在于,包括衬底、n型扩散层和p型扩散层;/n所述n型扩散层和所述p型扩散层沿所述衬底的厚度方向交替分布,以在所述衬底中形成沿所述衬底厚度方向分布的多个pn结;/n任一所述n型扩散层的扩散深度均小于相邻下方所述p型扩散层的扩散深度,任一所述p型扩散层的扩散深度均小于相邻下方所述n型扩散层的扩散深度;任一所述n型扩散层的扩散面积均小于相邻下方所述p型扩散层的扩散面积,任一所述p型扩散层的扩散面积均小于相邻下方所述n型扩散层的扩散面积;任一所述n型扩散层沿水平方向的投影均覆盖相邻上方p型扩散层沿水平方向的投影,任一所述p型扩散层沿水平方向的投影均覆盖相邻上方n型扩散层沿水平方向的投影;/n所述pn结中沿外界光线照射方向的最后一个所述pn结用于响应红外线。/n
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