[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201910563193.4 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110265484B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 强朝辉;强力;罗超;张惠勤;黄睿;王治 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张静尧 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决薄膜晶体管漏电流高的问题。薄膜晶体管，包括衬底，还包括：第一电极，设置在衬底上；有源层，包括层叠设置的第一掺杂层、半导体层以及第二掺杂层；第一掺杂层设置在第一电极远离衬底一侧，且与第一电极电连接；第一掺杂层和第二掺杂层互为电子掺杂层和空穴掺杂层；栅绝缘层，设置在有源层远离衬底一侧；栅绝缘层上设置有露出有源层的第一过孔；栅极设置在栅绝缘层远离衬底一侧；栅极与有源层并排设置，栅极朝向有源层的第一侧面所在平面为参考平面，半导体层在参考平面上的正投影位于栅极在参考平面上的正投影内；第二电极，设置在栅极远离衬底一侧，与有源层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括衬底，其特征在于，还包括：第一电极，设置在所述衬底上；有源层，包括沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的第一掺杂层、半导体层以及第二掺杂层；所述第一掺杂层设置在所述第一电极远离所述衬底一侧，且与所述第一电极电连接；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层互为电子掺杂层和空穴掺杂层；栅绝缘层，设置在所述有源层远离所述衬底一侧；所述栅绝缘层上设置有第一过孔，所述第一过孔露出所述有源层；栅极，设置在所述栅绝缘层远离所述衬底一侧；所述栅极与所述有源层并排设置，所述栅极朝向所述有源层的第一侧面所在平面为参考平面，所述半导体层在所述参考平面上的正投影位于所述栅极在所述参考平面上的正投影内；第二电极，设置在所述栅极远离所述衬底一侧，所述第二电极通过所述第一过孔与所述有源层电连接。
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