[发明专利]用于集成电路的闩锁免疫技术在审
| 申请号： | 201910563441.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660810A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | V·K·沙马 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/118 | 分类号： | H01L27/118;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 荷兰斯*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及用于集成电路的闩锁免疫技术。例如，在支持互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的集成电路中，通过用n阱带围绕热n阱来支持闩锁免疫性，其中n阱带通过根据设计规则的指定距离与热n阱隔开。n阱带位于热n阱和其他n阱或n型扩散结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 闩锁 互补金属氧化物半导体 扩散结构 免疫技术 设计规则 免疫性 隔开 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：/n半导体衬底，掺杂有第一导电类型；/n第一半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有第二导电类型，并且包括：/n第一区域，重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第一区域连接至电源节点；和/n第二区域，重掺杂有所述第一导电类型，其中所述第二区域连接至集成电路焊盘；/n第二半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有所述第二导电类型；/n第三区域，在所述第二半导体阱内重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第三区域连接至接地节点；/n第三半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有所述第二导电类型；以及/n第四区域，在所述第三半导体阱内重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第四区域通过电阻器连接至所述集成电路焊盘；/n其中所述第三半导体阱在所述第一半导体阱和所述第二半导体阱之间位于所述半导体衬底内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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