[发明专利]一种基于BN（Al）薄膜的电阻开关及制备方法有效
| 申请号： | 201910563612.4 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110224064B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李强;秦潇;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关及制备方法，所述电阻开关，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。本发明首次发现了BN(Al)薄膜具有电阻开关效应，制备成In/BN(Al)/Al三明治结构电阻开关具有良好的开关特性，且稳定性较好。本发明中利用双电源磁控溅射的方式制备BN(Al)薄膜工艺简单，能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，为制备电阻开关阻变存储器(RRAM)提供一种新的材料及结构原型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bn al 薄膜 电阻 开关 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于BN(Al)薄膜的电阻开关，其特征在于，包括硅衬底，硅衬底的一面镀有金属层作为下电极，硅衬底的另一面设有BN(Al)薄膜，BN(Al)薄膜表面设有上电极；构成上电极/BN(Al)/下电极三明治结构电阻开关。
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