[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

本揭示是关于一种集成电路。所揭示的技术在沟槽内局部地形成磊晶层，此沟槽具有在沟槽的侧壁中堆叠的角形凹陷。控制凹陷大小以控制在沟槽内形成的磊晶层的厚度。凹陷由覆盖层覆盖并且从最底部凹陷开始相继地逐个暴露出。磊晶层在沟槽内逐个形成，磊晶层的晶面边缘部分对准到相应凹陷中，此凹陷是为了磊晶层而相继地暴露的凹陷。

主权项

1.一种集成电路，其特征在于，包含：/n一基板；/n一第一装置，该第一装置包括在该基板上方的一第一半导体材料的分离纳米线结构的一第一堆叠、以及围绕分离纳米线结构的该第一堆叠的一第一栅极结构；/n一第二装置，该第二装置包括在该基板上方的一第二半导体材料的分离纳米线结构的一第二堆叠、以及围绕分离纳米线结构的该第二堆叠的一第二栅极结构；以及/n一第一绝缘结构，是在横向上位于该第一装置与该第二装置之间，或在纵向上位于该基板与该第一装置之间中的一者或多者。/n