[发明专利]一种硅基垂直互联结构及制备方法有效
| 申请号： | 201910564486.4 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110400787B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基垂直互联结构及制备方法，包括两片单晶硅晶圆形成的大厚度基板，两片所述单晶硅晶圆之间设置有金属键合层，上下两片所述单晶硅晶圆上设置有上下对称的倒金字塔型凹坑；所述大厚度基板的上下表面以及所述单晶硅晶圆之间的所述金属键合层均有金属布线，所述金属布线通过上下所述单晶硅晶圆上所述倒金字塔型凹坑的侧壁实现所述大厚度基板上下表面电学信号的垂直互联；本发明利用金属间键合、单晶硅各向异性腐蚀、薄膜沉积等工艺制备出大厚度硅基垂直互联结构，具有批量化、成本低以及易于实现等特征，且可实现大厚度硅基板的垂直互联。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 联结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基垂直互联结构，其特征在于，包括两片单晶硅晶圆形成的大厚度基板，两片所述单晶硅晶圆之间设置有金属键合层，上下两片所述单晶硅晶圆上设置有上下对称的倒金字塔型凹坑；所述大厚度基板的上下表面以及所述单晶硅晶圆之间的所述金属键合层均有金属布线，所述金属布线通过上下所述单晶硅晶圆上所述倒金字塔型凹坑的侧壁实现所述大厚度基板上下表面电学信号的垂直互联。
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