[发明专利]一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201910564627.2 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110453198B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 夏玉明;卓恩宗 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40;H01L27/12
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法,制作方法包括:形成氧化铟薄膜的步骤;形成氧化锡薄膜的步骤;以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤,判断是否重复了第三预设次数,是则制程完成;否则,重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤。本申请使用原子层沉积技术,交替形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜,并最终得到铟锡氧化物薄膜,大幅提高沉积薄膜的致密度,表面平整度和均匀度,实现生成稳定的铟锡氧化物薄膜。
搜索关键词: 一种 氧化物 薄膜 制作方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
1.一种铟锡氧化物薄膜的制作方法,其特征在于,包括:/n形成氧化铟薄膜的步骤;/n形成氧化锡薄膜的步骤;以及/n交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤,判断是否重复了第三预设次数,是则制程完成;否则,重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤;/n其中,形成氧化铟薄膜的步骤为重复第一预设次数形成氧化铟层的过程以得到氧化铟薄膜;形成氧化锡薄膜的步骤为重复第二预设次数形成氧化锡层的过程以得到氧化锡薄膜;/n其中,形成氧化铟层的过程包括:在原子层沉积装置中持续通入预设时间的铟前驱体,完成通入后停留预设时间,通入惰性气体吹扫,持续通入预设时间的氧前驱体,完成通入后停留预设时间,通入惰性气体吹扫;/n形成氧化锡层的过程包括:在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锡前驱体,完成通入后停留预设的时间,通入惰性气体吹扫,持续通入预设时间的氧前驱体,完成通入后停留预设的时间,通入惰性气体吹扫。/n
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