[发明专利]一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器在审
| 申请号： | 201910565537.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110261640A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨波;梁卓玥;张婷;王斌龙 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01P5/08 | 分类号： | G01P5/08;B81B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器主要包括圆柱型硅毛发体、第一隧道磁阻传感器、第二隧道磁阻传感器、绝缘层和底层基座组成；其中，绝缘层位于底层基座的正上方，圆柱型硅毛发体安装在绝缘层的中心位置，第一隧道磁阻传感器和第二隧道磁阻传感器安装在绝缘层的两侧并关于圆柱型硅毛发体对称分布，圆柱型硅毛发体的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈用于产生磁场。采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行流速信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小、测量带宽大等优点，同时提出的基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器具有结构简单、体积小、灵敏度高、测量精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 隧道磁阻效应 隧道磁阻 圆柱型 毛发 流速传感器 传感器 灵敏度 电磁激励线圈 传感器安装 饱和磁场 对称分布 高灵敏度 工作磁场 基座组成 流速信号 温度系数 测量带 体积小 刻蚀 磁场 测量 检测 | ||
【主权项】：
1.一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器，其特征在于，该传感器包括圆柱型硅毛发体(2)第一隧道磁阻传感器(4)、第二隧道磁阻传感器(5)、绝缘层(6)和底层基座(7)组成；其中，绝缘层(6)位于底层基座(7)的正上方，圆柱型硅毛发体(2)垂直安装在绝缘层(6)的中心位置，第一隧道磁阻传感器(4)和第二隧道磁阻传感器(5)安装在绝缘层(6)的两侧并关于圆柱型硅毛发体(2)对称分布，圆柱型硅毛发体(2)的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈(3)用于产生磁场；当沿着水平方向有流速(1)输入时，圆柱型硅毛发体(2)产生偏移，使得第一隧道磁阻传感器(4)和第二隧道磁阻传感器(5)周围的磁场分布失衡，通过对圆柱型硅毛发体(2)两侧第一隧道磁阻传感器(4)和第二隧道磁阻传感器(5)输出电压的测量以实现流速信号的测量。
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