[发明专利]集成的单扩散中断

摘要

本发明涉及集成的单扩散中断。一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法包括各种隔离结构的共集成，这些隔离结构包括通过共同的掩蔽和蚀刻步骤形成的栅极切割和浅扩散中断隔离结构。在执行附加的图案化步骤以提供源极/漏极导电接触的分段之后，使用单个沉积步骤在栅极切口、浅扩散中断开口和器件有源区域之间的浅沟槽隔离上方的腔体中的每一者内形成隔离电介质层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n多个半导体鳍，其被设置在半导体衬底上方，每个所述半导体鳍具有源极/漏极区和与所述源极/漏极区相邻的沟道区；/n浅沟槽隔离层，其被设置在所述半导体衬底的顶表面上方并位于所述鳍的下部的外围；/n栅极叠层，其被设置在所述沟道区上方，其中所述栅极叠层包括栅极电介质层、覆盖在所述栅极电介质层上方的功函数金属层、以及覆盖在所述功函数金属层上方的导电填充层；/n栅极帽盖，其被设置在所述栅极叠层上方；以及/n隔离电介质层，其延伸通过所述栅极叠层，其中，所述隔离电介质层被设置为直接在所述导电填充层的侧壁上方。/n