[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910566478.3 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660794B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 小林一也;黑川敦;德矢浩章;大部功;斋藤祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具有：/n基板；/n被保护元件，配置在所述基板上；/n突出部，配置在所述基板上；/n绝缘膜，配置在所述基板上，覆盖所述突出部的至少侧面以及所述被保护元件；以及/n外部连接用的电极焊盘，配置在所述绝缘膜上，在俯视时与所述被保护元件以及所述突出部至少部分地重叠，/n从所述突出部的上表面到所述电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从所述被保护元件的上表面到所述电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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