[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置有效
申请号: | 201910566516.5 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110649131B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 李珍雄;金京完;李锦珠 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管芯片及具有其的发光装置。一实施例的发光二极管芯片包括:第一导电型半导体层;台面,配置到第一导电型半导体层的一部分区域上,包括活性层及第二导电型半导体层;透明电极,欧姆接触到第二导电型半导体层上;第一电流扩散器,欧姆接触到第一导电型半导体层;第二电流扩散器,电连接到透明电极;绝缘层,覆盖台面、第一电流扩散器及第二电流扩散器,包括分布布拉格反射器;以及第一焊垫电极及第二焊垫电极,位于绝缘层上,分别连接到第一电流扩散器及第二电流扩散器;且第一电流扩散器与台面之间的横向相隔距离大于绝缘层的厚度,靠近台面侧的第一电流扩散器的一侧侧面长于另一侧侧面。 | ||
搜索关键词: | 倒装 芯片 发光二极管 包括 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:/n第一导电型半导体层;/n台面,配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上,包括活性层及第二导电型半导体层;/n透明电极,欧姆接触到所述第二导电型半导体层上;/n第一电流扩散器,与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上,且欧姆接触到所述第一导电型半导体层;/n第二电流扩散器,配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极;/n绝缘层,覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器,并具有使所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器的一部分露出的开口部,且包括分布布拉格反射器;以及/n第一焊垫电极及第二焊垫电极,位于所述绝缘层上,通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器,且/n所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的较长的形状的延伸部,/n所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度,/n所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面,所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面,所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别包括多个倾斜面,所述倾斜面相对于所述第一导电型半导体层的上表面具有55度以下的倾斜角,靠近台面侧的所述一侧侧面长于所述另一侧侧面。/n
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