[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910566656.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110648903B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘如淦;林进祥;赖志明;林纬良;严永松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于制造半导体器件的方法。本公开提供了用于制造半导体器件的方法。根据本公开的方面，在用于半导体器件的图案形成方法中，在设置在衬底上的底层中形成第一开口。通过定向蚀刻在第一轴上扩展第一开口，以在底层中形成第一凹槽。在底层上形成抗蚀剂图案。抗蚀剂图案包括与第一凹槽仅部分重叠的第二开口。通过将抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来图案化底层，以形成第二凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的图案形成方法，该方法包括：/n在设置在衬底上方的底层中形成第一开口；/n通过定向蚀刻来在第一轴上扩展所述第一开口，以在所述底层中形成第一凹槽；/n在所述底层上方形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案包括与所述第一凹槽仅部分重叠的第二开口；以及/n通过将所述抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来图案化所述底层，以形成第二凹槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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