[发明专利]编程和擦除存储器结构在审
| 申请号： | 201910567872.9 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110782939A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | F·卡恩;N·W·罗布森;桐畑外志昭;D·莫伊;D·L·阿南德 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C11/407 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本公开涉及编程和擦除存储器结构。本公开一般涉及半导体结构，更具体地，涉及编程和擦除存储器结构以及制造方法。半导体存储器包括：电荷捕获晶体管；以及自加热电路，其选择性地将电压施加到电荷捕获晶体管的端子，以辅助电荷捕获晶体管的擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 擦除存储器 电荷捕获 编程 半导体存储器 半导体结构 擦除操作 电压施加 辅助电荷 自加热 捕获 电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：/n电荷捕获晶体管；以及/n自加热电路，其选择性地将电压施加到所述电荷捕获晶体管的端子，以辅助所述电荷捕获晶体管的擦除操作。/n
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