[发明专利]一种异金属[CdMn]荧光磁制冷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910568391.X 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110256688B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 李忠义;吴冬青;张向飞;翟滨;曹广秀 申请(专利权)人: 商丘师范学院
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张志军
地址: 476002 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种基于邻羧基苯乙酸配体的异金属[CdMn]荧光磁制冷材料及其制备方法,此异金属[CdMn]荧光磁制冷材料分子式为{[CdMn(L)2(H2O)]·2H2O}n,n=∞,L为脱去两个H+的邻羧基苯乙酸配体,磁制冷材料具有二维层状结构,制备方法为:将邻羧基苯乙酸的DMF溶液、硝酸镉和乙酸锰水溶液加入反应瓶中,搅拌的条件下逐滴加入氢氧化钠水溶液,将体系的pH调到5.2~5.6,搅拌5~10min后密封,在85~100℃的恒温条件下加热24~72h,冷却至室温,过滤、干燥,得到晶态异金属[CdMn]荧光磁制冷材料。本发明的合成和提纯方法简单,成本低廉,荧光性能及磁制冷良好。
搜索关键词: 一种 金属 cdmn 荧光 制冷 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于邻羧基苯乙酸配体的异金属 [CdMn]荧光磁制冷材料,其特征在于:所述异金属[CdMn]荧光磁制冷材料分子式为{[CdMn(L)2(H2O)]·2H2O}n n=∞,L为脱去两个H+的邻羧基苯乙酸配体,所述磁制冷材料具有二维层状结构,所述二维层状结构的不对称构筑单元包含一个镉(II)离子、两个位置占有率为0.5的锰(II)离子、两个邻羧基苯乙酸配体、一个末端配位的水分子和两个晶格水分子。
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