[发明专利]超声波传感器和电子设备有效
| 申请号： | 201910568667.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110287901B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郭玉珍;王海生;刘英明;赵利军;李秀锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种超声波传感器和电子设备。其中，超声波传感器包括薄膜晶体管、像素电极、压电层、顶部电极和辅助电极。薄膜晶体管的漏与超声波传感器的读出线相连。像素电极设置在薄膜晶体管的上方，并与薄膜晶体管的源相连。压电层设置在像素电极的上方。顶部电极设置在压电层的上方。辅助电极设置在像素电极和读出线之间。在上述超声波传感器中，通过在像素电极和读出线之间设置辅助电极，可消除或降低像素电极与读出线之间的寄生电容，保证了读出线所读取到的像素值的准确性。在一种可选实施例中，超声波传感器还包括缓冲器，缓冲器连接辅助电极与读出线，将辅助电极与读出线保持在相同电位。在另一种可选实施例中，辅助电极接地。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波传感器 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源、漏与栅，所述漏与超声波传感器的读出线相连；像素电极，设置在所述薄膜晶体管的上方，所述像素电极与所述薄膜晶体管的源相连；压电层，设置在所述像素电极的上方；顶部电极，设置在所述压电层的上方；辅助电极，设置在所述像素电极和所述读出线之间，并分别与所述像素电极和所述读出线相隔离。
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