[发明专利]集成芯片和形成集成芯片的方法有效
| 申请号： | 201910569131.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660804B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;邹百骐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/11512 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路包括位于衬底内的第一掺杂区域和第二掺杂区域。FeRAM(铁电随机存取存储器)器件布置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的衬底上方。该FeRAM器件具有铁电材料和导电电极。铁电材料布置在衬底上方，并且导电电极布置在铁电材料上方并且布置在铁电材料的侧壁之间。本发明的实施例还涉及集成芯片和形成集成芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成芯片，包括：/n第一掺杂区域和第二掺杂区域，位于衬底内；以及/n铁电随机存取存储器(FeRAM)器件，布置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的所述衬底上方，所述铁电随机存取存储器器件包括：/n铁电材料，布置在所述衬底上方；以及/n导电电极，位于所述铁电材料上方和所述铁电材料的侧壁之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910569131.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SRAM结构及其形成方法
- 下一篇：包含分支存储器裸芯模块的堆叠半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
