[发明专利]一种基于碳碳键的高性能界面制备方法有效
申请号: | 201910570953.4 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110349848B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 肖东阳;王玉容;孙雷蒙;涂良成 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于碳碳键的高性能界面制备方法,通过在碳纳米管CNT与金属之间引入二维纳米材料石墨烯得到了CNT‑石墨烯‑金属‑目标衬底的混合结构,其中CNT与石墨烯同质连接,石墨烯与金属之间“面面”接触,CNT与目标衬底通过石墨烯与金属连接。该结构将CNT与金属之间存在肖特基势垒的“点面”范德华力连接转换为石墨烯与CNT的同质连接,金属‑石墨烯将CNT尖端包覆,另外,石墨烯与金属‑目标衬底之间“面面”接触,接触力和接触面积增大,共同提升了四者之间的机械强度和边界电阻;同时,CNT与石墨烯的纵向和横向导热的结合提升结构热导率,从而使得结构的机械强度增强,热接触电阻降低,减少了焦耳热的产生,显著提高了器件的可靠性和散热性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 碳碳键 性能 界面 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于碳碳键的高性能界面制备方法,其特征在于,包括下列步骤:S1、对原生衬底进行预处理,在所述原生衬底上沉积CNT生长所需的缓冲层和催化层,在高温下生长CNT;S2、在所述CNT上沉积石墨烯生长所需的催化层和键合用合金,高温下在所述CNT与石墨烯催化层之间生长一层石墨烯,实现所述CNT与所述合金的桥接,得到一种混合三维结构;S3、将所述混合三维结构翻转180°,并与沉积了键合用合金的目标衬底键合,实现两个结构的连接与电学导通,去除所述原生衬底后获得基于碳碳键的高性能界面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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