[发明专利]一种基于碳碳键的高性能界面制备方法有效

专利信息
申请号: 201910570953.4 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110349848B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 肖东阳;王玉容;孙雷蒙;涂良成 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;B82Y40/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智;廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于碳碳键的高性能界面制备方法,通过在碳纳米管CNT与金属之间引入二维纳米材料石墨烯得到了CNT‑石墨烯‑金属‑目标衬底的混合结构,其中CNT与石墨烯同质连接,石墨烯与金属之间“面面”接触,CNT与目标衬底通过石墨烯与金属连接。该结构将CNT与金属之间存在肖特基势垒的“点面”范德华力连接转换为石墨烯与CNT的同质连接,金属‑石墨烯将CNT尖端包覆,另外,石墨烯与金属‑目标衬底之间“面面”接触,接触力和接触面积增大,共同提升了四者之间的机械强度和边界电阻;同时,CNT与石墨烯的纵向和横向导热的结合提升结构热导率,从而使得结构的机械强度增强,热接触电阻降低,减少了焦耳热的产生,显著提高了器件的可靠性和散热性。
搜索关键词: 一种 基于 碳碳键 性能 界面 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于碳碳键的高性能界面制备方法,其特征在于,包括下列步骤:S1、对原生衬底进行预处理,在所述原生衬底上沉积CNT生长所需的缓冲层和催化层,在高温下生长CNT;S2、在所述CNT上沉积石墨烯生长所需的催化层和键合用合金,高温下在所述CNT与石墨烯催化层之间生长一层石墨烯,实现所述CNT与所述合金的桥接,得到一种混合三维结构;S3、将所述混合三维结构翻转180°,并与沉积了键合用合金的目标衬底键合,实现两个结构的连接与电学导通,去除所述原生衬底后获得基于碳碳键的高性能界面。
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