[发明专利]一种实现亚微米级小图形的方法在审
| 申请号： | 201910571049.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110289211A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种实现亚微米级小图形的方法。提供了一种避免脱落，降低对设备依赖的实现亚微米级小图形的方法。包括以下步骤：1）光刻涂胶：待做N+注入的硅片涂光刻胶；2）曝光显影；3）干法去胶；4）N+注入：常规N+注入；5）去胶：注入完成后去胶。本发明在工作中，通过光刻、欠曝光加显影或者正常曝光加欠显影，再通过干法去胶去除光刻胶底胶，从而实现亚微米小图形。 | ||
| 搜索关键词： | 小图形 亚微米级 干法去胶 光刻胶 光刻 去胶 显影 曝光显影 曝光 对设备 硅片 底胶 去除 涂胶 | ||
【主权项】：
1.一种实现亚微米级小图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）光刻涂胶：待做N+注入的硅片涂光刻胶；2）曝光显影；3）干法去胶；4）N+注入：常规N+注入；5）去胶：注入完成后去胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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