[发明专利]三态门电路在审
申请号: | 201910571380.7 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110336554A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 罗红飞 | 申请(专利权)人: | 杭州展虹科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/094 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种三态门电路。三态门电路包括第一反相器、第一与非门、第二反相器、第二与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管。利用本发明提供的三态门电路可以使得电路简单、成本降低以及提高相应的功能的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 三态门电路 反相器 与非门 电路 | ||
【主权项】:
1.三态门电路,其特征在于:包括第一反相器、第一与非门、第二反相器、第二与非门、第三反相器、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一反相器的输入端接输入端B,输出端接所述第一与非门的一输入端;所述第一与非门的一输入端接输入端A,另一输入端接所述第一反相器的输出端,输出端接所述第二反相器的输入端;所述第二反相器的输入端接所述第一与非门的输出端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;所述第一与非门的一输入端接输入端A,另一输入端接输入端B,输出端接所述第三反相器的输入端;所述第三反相器的输入端接所述第二与非门的输出端,输出端接所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端,漏极接电源电压VCC,源极接所述第二NMOS管的漏极并作为三态门电路的输出端OUT;所述第二NMOS管的栅极接所述第三反相器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的源极并作为三态门电路的输出端OUT,源极接地。
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