[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910571460.2 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660745B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 翁思强;林炳豪;张复诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/768;H01L25/18;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括将第一晶圆接合到第二晶圆。第一晶圆包括多个介电层、穿过多个介电层的金属管以及由金属管环绕的介电区。介电区具有多个台阶，多个台阶由金属管环绕的多个介电层的部分的侧壁和顶面形成。该方法还包括蚀刻第一晶圆以去除介电区并且留下由金属管环绕的开口，将开口延伸到第二晶圆中以露出第二晶圆中的金属焊盘，以及用导电材料填充开口，以在开口中形成导电插塞。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n将第一晶圆接合到第二晶圆，其中，所述第一晶圆包括：/n多个介电层；/n金属管，穿过所述多个介电层；和/n介电区，由所述金属管环绕，其中，所述介电区具有多个台阶，并且所述多个台阶由所述金属管环绕的所述多个介电层的部分的侧壁和顶面形成；/n蚀刻所述第一晶圆以去除所述介电区并且留下由所述金属管环绕的开口；/n将所述开口延伸到所述第二晶圆中以露出所述第二晶圆中的金属焊盘；以及/n用导电材料填充所述开口，以在所述开口中形成导电插塞。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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