[发明专利]一种钙钛矿膜及其制备方法在审
申请号: | 201910571558.8 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110299449A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 段淼;李佳育;徐君哲;陈书志;何波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种钙钛矿膜及其制备方法,所述钙钛矿膜有所述钙钛矿膜的制备方法制备而成,所述钙钛矿膜的制备方法包括钙钛矿溶液配制步骤、刮涂步骤以及加热烘干步骤;通过在钙配制钛矿溶液中加入表面活性剂,采用刮涂方法将钙钛矿溶液刮涂在基板上成膜,可以有效地提高钙钛矿膜的平整度,更加平滑,厚度均匀,致密效果更佳,本发明还具有制备工艺简单,成本低廉,适合大规模工业化生产等特点。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 制备 刮涂 大规模工业化生产 表面活性剂 基板上成膜 厚度均匀 加热烘干 溶液配制 致密效果 制备工艺 平整度 有效地 平滑 钛矿 配制 | ||
【主权项】:
1.一种钙钛矿膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:钙钛矿溶液配制步骤,将前驱体溶液及表面活性剂置于反应容器中,获得钙钛矿溶液;刮涂步骤,将所述钙钛矿溶液刮涂在基板上;加热烘干步骤,对所述基板进行加热烘干处理,获得钙钛矿膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910571558.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择