[发明专利]SiC器件的制造方法及评价方法有效

申请号：	201910572047.8	申请日：	2019-06-28
公开（公告）号：	CN110739239B	公开（公告）日：	2023-08-04
发明（设计）人：	郭玲	申请（专利权）人：	株式会社力森诺科
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L21/04
代理公司：	北京市中咨律师事务所 11247	代理人：	张轶楠;段承恩
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明提供一种能够容易地检测工艺过程中产生的缺陷的SiC器件的制造方法。本发明的一个技术方案涉及的SiC器件的制造方法包括：离子注入工序，对具有外延层的SiC外延晶片的所述外延层进行离子注入；和评价工序，在所述离子注入工序后，对所述SiC外延晶片的缺陷进行评价，所述评价工序包括：表面检查工序，进行所述SiC外延晶片的表面检查；PL检查工序，对所述SiC外延晶片的表面照射激发光，进行光致发光测定；以及判定工序，根据通过所述表面检查检测出的表面缺陷像以及通过所述PL检查工序检测出的PL缺陷像，判定所述缺陷的程度。
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【主权项】：

1.一种SiC器件的制造方法，包括：/n离子注入工序，对具有外延层的SiC外延晶片的所述外延层进行离子注入；和/n评价工序，在所述离子注入工序之后，对所述SiC外延晶片的缺陷进行评价，/n所述评价工序包括：/n表面检查工序，进行所述SiC外延晶片的表面检查；/nPL检查工序，在所述表面检查工序之后，对包含通过所述表面检查检测出的缺陷的区域照射激发光，进行光致发光测定；以及/n判定工序，根据通过所述表面检查检测出的表面缺陷像以及通过所述PL检查工序检测出的PL缺陷像，判定所述缺陷的程度。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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