[发明专利]半导体元件制造方法在审
| 申请号： | 201910572254.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660661A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 叶雅雯;沈育佃;黄世钧;张博钦;林纬良;严永松;吴伟豪;林立德;林斌彦;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件制造方法，在基板之上形成底层结构。在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。 | ||
| 搜索关键词： | 方向性蚀刻 表面形貌 底层结构 形貌数据 薄膜 半导体元件制造 测量薄膜 局部蚀刻 扫描基板 整个表面 电浆束 基板 存储 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件制造方法，其特征在于，包含：/n形成一底层结构于一基板之上；/n形成一薄膜于该底层结构之上；/n测量该薄膜的表面形貌且储存该表面形貌为形貌数据；以及/n使用方向性蚀刻执行一局部蚀刻，同时扫描该基板使得该薄膜的一整个表面承受该方向性蚀刻，/n其中根据该形貌数据调整该方向性蚀刻的一电浆束强度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
