[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910572523.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660742A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈隆;洪隆傑;郭康民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法包括在基板上形成第一晶体管结构及第二晶体管结构，其中合并第一晶体管结构及第二晶体管结构的源极/漏极结构。第一及第二晶体管结构是通过蚀刻源极/漏极结构而分开。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管结构 源极/漏极 蚀刻 半导体装置 基板 合并 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，包含：/n在一基板上形成一第一晶体管结构及一第二晶体管结构，其中合并该第一晶体管结构及该第二晶体管结构的源极/漏极结构；以及/n通过蚀刻该合并的源极/漏极结构分开该第一及第二晶体管结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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