[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910574033.X | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151494A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在本发明中，刻蚀所述上层金属层，以形成上极板组和保护墙，所述保护墙和上极板组相互分立且保护墙位于所述上极板组的侧部，所述保护墙用于保护与所述保护墙相邻的上极板的边缘区的介质层，在刻蚀上层金属层的过程中降低对上极板组与保护墙之间的介质层的损伤，从而避免半导体器件在工作过程中介质层被击穿，能够提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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