[发明专利]一种离子监控器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910574232.0 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110444486B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 石清雯 | 申请（专利权）人： | 新昌县厚泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 赵炎英 |
| 地址： | 312500 浙江省绍兴市新昌县省级*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于离子探测技术领域，尤其涉及一种离子监控器，包括硅衬底(1)，以及依次形成在该硅衬底(1)上的第三复合层和第四复合层，每层复合层由绝缘层(2)‑及其上方的多晶硅层(3)构成；所述离子监控器还包括，第一阳极(4‑1)和第二阳极(4‑2)，第一阴极(5‑1)和第二阴极(5‑2)，以及第一绝缘体(6‑1)、第二绝缘体(7‑1)、第三绝缘体(6‑2)、第四绝缘体(7‑2)；其中，第一阳极(4‑1)、第一阴极(5‑1)、第一绝缘体(6‑1)以及第二绝缘体(7‑1)分别垂直穿透第四复合层的多晶硅层，但不垂直穿透第四复合层的绝缘层。本发明的离子监控器，实现高分辨率的离子能量监控，且制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 监控器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子监控器，其特征在于，包括硅衬底(1)，以及依次形成在该硅衬底(1)上的第三复合层和第四复合层，每层复合层由绝缘层(2)‑及其上方的多晶硅层(3)构成；所述离子监控器还包括，第一阳极(4‑1)和第二阳极(4‑2)，第一阴极(5‑1)和第二阴极(5‑2)，以及第一绝缘体(6‑1)、第二绝缘体(7‑1)、第三绝缘体(6‑2)、第四绝缘体(7‑2)；其中，第一阳极(4‑1)、第一阴极(5‑1)、第一绝缘体(6‑1)以及第二绝缘体(7‑1)分别垂直穿透第四复合层的多晶硅层，但不垂直穿透第四复合层的绝缘层；第二阳极(4‑2)、第二阴极(5‑2)、第三绝缘体(6‑2)、以及第四绝缘体(7‑2)分别垂直穿透第四复合层至第三复合层的多晶硅层，但不垂直穿透第三复合层的绝缘层；第三绝缘体(6‑2)、第二阳极(4‑2)、第一绝缘体(6‑1)、第一阳极(4‑1)、第一阴极(5‑1)、第二绝缘体(7‑1)、第二阴极(5‑2)以及第四绝缘体(7‑2)依次间隔设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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