[发明专利]功率半导体器件

摘要

一种功率半导体器件（1），其包括：半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10‑1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10‑2）。该半导体本体（10）包括：有源区（106）；具有第一导电类型（100）的漂移区（100）；以及芯片边缘（109）。该功率半导体器件（1）进一步包括边缘终止结构（108），该边缘终止结构（108）至少部分包括在半导体本体（10）中，并且包括：具有与第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区（107）；以及屏蔽层（15），其包括半导体材料并通过第一绝缘层（161）与至少一个半导体边缘终止区（107）绝缘。

主权项

1.一种功率半导体器件（1），其包括：/n- 半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的正面（10-1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背面（10-2），所述半导体本体（10）包括：/n- 有源区（106），其被配置用于在所述第一负载端子结构（11）与所述第二负载端子结构（12）之间传导负载电流；/n- 具有第一导电类型（100）的漂移区（100），其被配置用于传导所述负载电流；以及/n- 芯片边缘（109），其横向终止所述半导体本体（10）；以及/n- 横向布置在所述芯片边缘（109）与所述有源区（106）之间的边缘终止结构（18），所述边缘终止结构（18）被至少部分地包括在所述半导体本体（10）中并且包括：/n- 具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的至少一个半导体边缘终止区（107），所述至少一个半导体边缘终止区（107）被布置在所述半导体本体（10）内部的正面（10-1）处；/n- 屏蔽层（15），其包括半导体材料并且通过第一绝缘层（161）与所述至少一个半导体边缘终止区（107）绝缘，其中所述屏蔽层（15）包括具有所述第一导电类型的至少一个第一屏蔽区（151）和具有所述第二导电类型的至少一个第二屏蔽区（152），其中所述至少一个第一屏蔽区（151）与所述第二屏蔽区（152）之间的横向过渡形成第一pn结（153），并且其中所述至少一个第二屏蔽区（152）和所述至少一个半导体边缘终止区（107）具有共同的横向延伸范围（X1）。/n