[发明专利]3D NAND存储器的形成方法

摘要

一种3D NAND存储器的形成方法，在刻蚀所述堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干栅极隔槽后，在所述栅极隔槽中形成填充层，所述填充层填充满所述栅极隔槽；在在形成所述填充层后，刻蚀所述栅极隔槽两侧的堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干沟道通孔；在所述沟道通孔中形成存储结构；形成所述存储结构后，去除所述填充层，暴露出栅极隔槽；去除所述牺牲层，在去除牺牲层的位置对应形成控制栅；在所述栅极隔槽中形成阵列共源极。本发明中，由于栅极隔槽形成步骤在形成沟道通孔和位于沟道通孔中的存储结构的步骤之前形成，使得栅极隔槽不会产生倾斜，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干栅极隔槽；在所述栅极隔槽中形成填充层，所述填充层填充满所述栅极隔槽；在在形成所述填充层后，刻蚀所述栅极隔槽两侧的堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的若干沟道通孔；在所述沟道通孔中形成存储结构；形成所述存储结构后，去除所述填充层，暴露出栅极隔槽；去除所述牺牲层，在去除牺牲层的位置对应形成控制栅；在所述栅极隔槽中形成阵列共源极。