[发明专利]存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201910575237.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660434A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 威凯特玛娜·安格萨尼;林智薰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史泉;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开存储器装置及其操作方法。所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；补偿电阻器，电连接到存储器单元阵列。补偿电阻器可生成单元电流，其中，单元电流补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。补偿电路可在接收到与存储器单元对应的地址时控制补偿电阻器的电阻的大小。补偿电路可基于将补偿电阻器的电阻的大小调节为基本等于寄生电阻器的电阻值来增大单元电流的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 补偿电阻器 电阻 存储器单元阵列 寄生电阻器 补偿电路 单元电流 存储器装置 公开存储器 大小调节 控制补偿 生成单元 电连接 电压降 电阻器 信号线 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：/n存储器单元阵列，包括多个存储器单元；/n补偿电路，电连接到存储器单元阵列，补偿电路被配置为：生成单元电流以补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。/n
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