[发明专利]一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：S1、将单晶硅片置于管式PECVD设备的炉管；S2、对单晶硅片进行前处理；S3、在单晶硅片上沉积第一层本征非晶硅薄膜；S4、在第一层本征非晶硅薄膜上沉积掺磷N型氢化非晶硅薄膜；S5、将单晶硅片进行翻面后置于另一个石墨载具，并置于管式PECVD设备的另一个炉管中，抽真空，恒温；S6、在单晶硅片背面上沉积第二层本征非晶硅薄膜；S7、在第二层本征非晶硅薄膜上沉积掺硼P型氢化非晶硅薄膜。本发明的方法设备成本低、占地面积小，生产产能高、经济效应好，同时实现了本征非晶硅层和掺杂非晶硅层的制备，减少了异质结制备所需的工艺腔和工艺步骤。

主权项

1.一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将装载有单晶硅片的石墨载具置于管式PECVD设备的炉管中，抽真空，将炉管恒温至200±50℃；S2、往炉管中通入NH₃或SiH₄和N₂O的混合气体，开启30kHz～50MHz电源，对单晶硅片进行前处理；S3、往炉管中通入SiH₄和H₂，开启30kHz～50MHz电源，在经所述前处理的单晶硅片上沉积第一层本征非晶硅薄膜；S4、往炉管中通入SiH₄、H₂和PH₃，开启30kHz～50MHz电源，在所述第一层本征非晶硅薄膜上沉积掺磷N型氢化非晶硅薄膜；S5、取出石墨载具，将单晶硅片进行翻面后置于另一个石墨载具，并将装载翻面后单晶硅片的石墨载具置于管式PECVD设备的另一个炉管中，抽真空，将炉管恒温至200±50℃；S6、往炉管中通入SiH₄和H₂，开启30kHz～50MHz电源，在单晶硅片背面上沉积第二层本征非晶硅薄膜；S7、往炉管中通入SiH₄、H₂和BH₃或B₂H₆，开启30kHz～50MHz电源，在所述第二层本征非晶硅薄膜上沉积掺硼P型氢化非晶硅薄膜。