[发明专利]磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制有效
| 申请号： | 201910575575.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110657828B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | J·居廷格;S·海恩兹;A·萨茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01P3/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;傅远 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例包括磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制。一种磁传感器包括桥电路，其包括多个磁场传感器元件，每个磁场传感器元件被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成传感器信号，其中桥电路被配置为基于由多个磁场传感器元件生成的传感器信号来生成差分信号。桥电路还包括多个电阻器，其中多个电阻器中的至少一个电阻器并联耦合到多个磁场传感器元件中的每个磁场传感器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 斯通 电桥 中的 散场 抑制 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，包括：/n桥电路，包括多个磁场传感器元件，每个磁场传感器元件被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成传感器信号，其中所述桥电路被配置为基于由所述多个磁场传感器元件生成的传感器信号来生成差分信号，/n其中所述桥电路还包括多个电阻器，其中所述多个电阻器中的至少一个电阻器被并联耦合到所述多个磁场传感器元件中的每个磁场传感器元件。/n
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