[发明专利]一种窄带光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种窄带光电探测器及其制备方法，包括基底、第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体。制备方法如下：在基底表面溅射两种材料制得第一一维光子晶体；在第一一维光子晶体表面溅射介质材料制得第一空间层薄膜；在第一空间层薄膜表面蒸镀金属材料制得第一金属层薄膜；在第一金属层薄膜表面溅射半导体材料制得第一半导体层薄膜，再在其上表面蒸镀金属材料，制得第一金属层薄膜；在第二金属层薄膜表面溅射介质材料制得第二空间层薄膜，在第二空间层薄膜表面溅射两种材料制得第二一维光子晶体。本发明还具有光电响应波长可调、响应带宽窄等优点。

主权项

1.一种窄带光电探测器，其特征在于，包括基底、以及自下而上依次固定设置在基底上的第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体；所述的第一金属层薄膜和第二金属层薄膜上设有分别固定设有第一电极和第二电极。