[发明专利]铜导电层的制备方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910576855.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110289208A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铜导电层的制备方法及薄膜晶体管，该铜导电层的制备方法通过在基板和铜膜之间沉积金属基体，能够在使得后续步骤中铜膜沉积并附着在金属基体上，有效增加基板与铜膜之间的结合力，防止铜层剥落，使得包括金属基体和铜膜的铜导电层的稳定性更高；通过在惰性且温度小于100℃的环境中脉冲交替通入铜源前驱体和还原性气体，能够沉积表面粗糙度小、成膜连续致密且上下表面不易被氧化的铜膜，因而使得铜导电层整体与基板的结合力强，且电阻率低、电子迁移率高以及稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 铜导电层 铜膜 基板 制备 薄膜晶体管 金属基体 结合力 沉积 致密 表面粗糙度 电子迁移率 还原性气体 沉积金属 上下表面 电阻率 前驱体 脉冲 成膜 附着 铜层 铜源 剥落 | ||
【主权项】：
1.一种铜导电层的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上沉积金属基体；在惰性且温度小于100℃的环境中，脉冲交替通入铜源前驱体和还原性气体以在所述金属基体上沉积铜膜，获得铜导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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