[发明专利]一种离子阱以及提高离子束缚效率的方法有效

专利信息
申请号: 201910576868.9 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110277302B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 余泉;李曼;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: H01J49/42 分类号: H01J49/42;H01J49/06
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 518055 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种离子阱以及提高离子束缚效率的方法,包括:在离子阱的金属电极板内沿离子入射的垂直方向开设气体通道,该气体通道与离子阱的离子入射狭缝具有相交之处,使得离子由所述离子入射狭缝入射的同时,横穿所述气体通道而入射到离子阱内;在离子入射阶段,从所述气体通道的一端通入背景气体,使所述气体通道内形成气体流通方向垂直于离子入射方向的气压带,且该气压带的气压高于电极板内外两侧的气压;当离子经所述离子入射狭缝入射时,横穿所述气压带而进入离子阱。离子入射时经过本发明构造的高气压带,与气体碰撞降低动能,可以提高电场对离子的束缚效率。
搜索关键词: 一种 离子 以及 提高 束缚 效率 方法
【主权项】:
1.一种离子阱,包括金属电极板(10),所述金属电极板(10)上具有离子入射狭缝(20),其特征在于:在所述金属电极板(10)内沿离子入射的垂直方向设有气体通道(30),该气体通道(30)与所述离子入射狭缝(20)具有相交之处,使得离子由所述离子入射狭缝(20)入射的同时,横穿所述气体通道(30)而入射到离子阱内;并且,当向所述气体通道(30)通入背景气体时,所述气体通道(30)内形成气体流通方向(D2)垂直于离子入射方向(D1)的气压带。
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