[发明专利]一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上设有第一DN‑Well区、第一P‑EPI区、第二DN‑Well区、第二P‑EPI区、第三DN‑Well区；第一P‑EPI区中设有第一P‑Well区，第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅；第二P‑EPI区中设有第二P‑Well区，第二P‑Well区中设有第二多晶硅栅。本发明的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅构成增强型栅控结构，采用增强型栅控结构能够使得双向可控硅器件的导通电阻降低，可控硅的正反馈回路增益提高，失效电流有效提高，不会过早发生软失效和表面击穿现象。

主权项

1.一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件，其特征在于：包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上从左至右依次设有第一DN‑Well区、第一P‑EPI区、第二DN‑Well区、第二P‑EPI区、第三DN‑Well区；所述第一P‑EPI区中设有第一P‑Well区，第一P‑Well区中从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一多晶硅栅；所述第二DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中从左至右依次设有第三场氧隔离区、第二N+注入区、第四场氧隔离区、第三N+注入区、第五场氧隔离区；所述第二P‑EPI区中设有第二P‑Well区，第二P‑Well区中从左至右依次设有第二多晶硅栅、第四N+注入区、第六场氧隔离区、第二P+注入区、第七场氧隔离区；所述第一P+注入区、第一N+注入区、第一多晶硅栅连接在一起引出作为器件阴极；所述第二多晶硅栅、第四N+注入区、第二P+注入区连接在一起引出作为器件阳极。