[发明专利]一种具有多指漏极的光电探测器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有多指漏极的光电探测器件，包括P型衬底，P型衬底上嵌有高压深N阱，高压深N阱上嵌有P阱，P型衬底与高压深N阱、高压深N阱与P阱形成两个二极管结构；P阱上设有多个同心的环形N+漏极，P阱上设有环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构。本发明采用多指的N+注入区作为漏极并与P阱形成具有紫外/蓝紫光响应的光电二极管的结构进行感光，同时利用P阱与高压深N阱以及高压深N阱与P型衬底所形成的两个二极管结构，通过电极引出端形成短路结构，有效降低了器件对可见/近红外光的响应程度，提高了器件的紫外/蓝紫光的波长选择性。

主权项

1.一种具有多指漏极的光电探测器件，其特征在于：包括P型衬底，P型衬底上表面中间内嵌有圆柱形高压深N阱，高压深N阱上表面中间内嵌有圆柱形P阱，P型衬底与高压深N阱形成二极管结构Ⅰ，高压深N阱与P阱形成二极管结构Ⅱ；所述P阱上表面中间设有多个同心的环形N+漏极，P阱上表面位于N+漏极外侧设有1个环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构；所述P型衬底上表面位于高压深N阱外侧区域设有环形P+注入区作为P型衬底连接电极；所述高压深N阱上表面位于P阱外侧区域设有环形N+注入区作为高压深N阱的连接电极。