[发明专利]电浆产生系统及温度调节方法有效
| 申请号： | 201910578357.0 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660707B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘立熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本案是关于一种电浆产生系统，该电浆产生系统具有：介电质窗、设置于该介电质窗上的感应线圈、设置于该介电质窗上的气体分配元件，及耦接至该气体分配元件的气体调节系统。气体分配元件经配置以在介电质窗上排放热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度。气体调节系统经配置以供应热调节气体至气体分配元件。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 系统 温度 调节 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电浆产生系统，其特征在于，包含：/n一介电质窗；/n一感应线圈，设置于该介电质窗上；/n一气体分配元件，设置于该介电质窗上，并配置以将一热调节气体排放于该介电质窗上，以及调节该介电质窗的一温度；及/n一气体调节系统，耦接至该气体分配元件且配置以供应该热调节气体至该气体分配元件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
