[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910579441.4 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151607B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有层间介质层；在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出源漏掺杂层顶部的接触孔；对接触孔露出的源漏掺杂层顶部进行离子注入，在源漏掺杂层中形成非晶化层；刻蚀源漏掺杂层，在源漏掺杂层中形成凹槽，且凹槽的底部和侧壁保留有部分厚度的非晶化层；在凹槽的底部和侧壁上形成金属硅化物层。本发明实施例有利于提高金属硅化物层的形成质量、降低金属硅化物层的电阻，从而降低源漏掺杂层与后续接触孔插塞的接触电阻，进而提升了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910579441.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
