[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910579447.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151596B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部；回刻蚀部分厚度的所述鳍部，形成底鳍部；在所述底鳍部上形成隔离层以及位于所述隔离层上的沟道鳍部；形成横跨所述沟道鳍部和隔离层的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述隔离层的部分侧壁和沟道鳍部的部分顶部和侧壁。在半导体结构工作时，所述沟道鳍部用作沟道，所述隔离层形成在所述沟道鳍部与所述底鳍部之间，使得所述沟道鳍部与所述底鳍部之间电隔离，降低了半导体结构漏电流的概率，提高了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910579447.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：基于云存储及互联网通信的康复系统
- 同类专利
- 专利分类
