[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910579468.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151608A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 施维;胡友存;汤霞梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有核心层，核心层上形成有硬掩膜层，硬掩膜层内形成有第一掩膜开口；在第一掩膜开口露出的核心层内形成第一掩膜沟槽，第一掩膜沟槽沿延伸方向包括多个子掩膜沟槽，子掩膜沟槽通过第一掩膜开口露出的核心层相隔离；在子掩膜沟槽侧壁上形成第一侧墙；去除第一掩膜开口所在区域的核心层，在核心层对应位置处形成由第一侧墙和基底围成的第二掩膜沟槽，第二掩膜沟槽和第一掩膜沟槽通过第一侧墙相隔离；在第二掩膜沟槽的侧壁上形成第二侧墙，第一侧墙和基底、以及第二侧墙和基底围成第一目标沟槽。侧壁相接触的第一侧墙和第二侧墙作为剪切部件，改善了第一目标沟槽端部的圆角问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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