[发明专利]一种硅纳米线芯片及基于硅纳米线芯片的质谱检测方法有效

专利信息
申请号: 201910579528.1 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110203876B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 邬建敏;陈晓明 申请(专利权)人: 杭州汇健科技有限公司
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00;G01N27/62
代理公司: 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 代理人: 金方玮
地址: 310000 浙江省杭州市滨*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅纳米线芯片及基于硅纳米线芯片的质谱检测方法,检测方法,包括如下步骤:步骤一,制造硅纳米线芯片;将单晶硅片经表面洗涤预处理后经过金属辅助刻蚀、碱后刻蚀得到具有尖端的硅纳米线芯片;对硅纳米线芯片进行表面化学或纳米材料修饰;步骤二,硅纳米线芯片质谱性能评估;步骤三,顶端接触取样及原位离子化质谱检测;本发明充分利用硅纳米线芯片的纳米结构特性和半导体特性,将接触式萃取转印和免基质质谱检测集合于一体,大大简化了复杂样本的采集、预处理和检测过程;本发明制造出的硅纳米线芯片能够同时具备吸附、萃取功能与质谱检测功能,还能保留有空间异质性的样本的原位信息。
搜索关键词: 一种 纳米 芯片 基于 检测 方法
【主权项】:
1.一种硅纳米线芯片,其特征在于,制造过程如下:步骤一,将单晶硅片经表面洗涤预处理后经过金属辅助刻蚀、碱后刻蚀得到具有尖端的硅纳米线芯片;步骤二,对硅纳米线芯片进行表面化学或纳米材料修饰,所述表面化学修饰包括:氨基修饰,羧基修饰,烷基链修饰;所述纳米材料修饰包括:金属纳米颗粒修饰,金属氧化物纳米颗粒修饰,碳纳米材料修饰。
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