[发明专利]基于隧道磁电阻的集成SiC MOSFET模块过流和短路保护电路在审
| 申请号： | 201910580985.2 | 申请日： | 2019-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110265964A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 虞乃鹏;邵帅;吴新科;张军明 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H1/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术，旨在提供一种基于隧道磁电阻的集成SiC MOSFET模块过流和短路保护电路。包括：信号隔离单元、驱动单元、TMR电流检测单元、阈值设定单元和比较器，TMR电流检测单元和阈值设定单元分别与比较器的输入端相接，比较器的输出端依次连接信号隔离单元和驱动单元，驱动单元用于连接集成SiC MOSFET模块的门极信号开关；所述TMR电流检测单元包括两个用于差分测量磁场梯度的磁场梯度测量单元，后者具有由四个隧道磁电阻组成的桥式结构；两个磁场梯度测量单元通过运算放大器和差分放大电路接至所述比较器的输入端。本发明成本低、方法简单、响应速度快，可将响应时间控制在1.7us以内。TMR电流检测单元的体积小，易于集成，输出更准确。 | ||
| 搜索关键词： | 电流检测单元 比较器 隧道磁电阻 驱动单元 磁场梯度测量 短路保护电路 信号隔离单元 阈值设定单元 输入端 半导体器件技术 差分放大电路 运算放大器 差分测量 磁场梯度 门极信号 桥式结构 时间控制 依次连接 输出端 体积小 响应 输出 | ||
【主权项】：
1.一种基于隧道磁电阻的集成SiC MOSFET模块过流和短路保护电路，包括信号隔离单元和驱动单元；其特征在于，还包括TMR电流检测单元、阈值设定单元和比较器，TMR电流检测单元和阈值设定单元分别与比较器的输入端相接，比较器的输出端依次连接信号隔离单元和驱动单元，驱动单元用于连接集成SiC MOSFET模块的门极信号开关；所述TMR电流检测单元包括两个用于差分测量磁场梯度的磁场梯度测量单元，后者具有由四个隧道磁电阻组成的桥式结构；两个磁场梯度测量单元通过运算放大器和差分放大电路接至所述比较器的输入端。
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