[发明专利]低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管，包括衬底P‑Sub，衬底P‑Sub上设有PBL区，PBL区上设有P‑EPI区，P‑EPI区中设有P‑Well区，P‑Well区中设有P+注入区，P‑EPI区内侧设有DN‑Well区，DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中设有N+注入区；N+注入区、N‑Well区、DN‑Well区、PBL区，构成全耗尽区域。本发明中全耗尽区域的存在能够使得器件的光子检测概率提高，而且耗尽区会使得电场分布峰值远离器件材料的表面区域，大幅度降低材料缺陷引起的能级捕获问题，降低所述器件的暗电流，达到低噪声的目的。

主权项

1.一种低噪声宽光谱响应的单光子雪崩光电二极管，其特征在于：包括衬底P‑Sub、PBL区、DN‑Well区、P‑EPI区、N‑Well区、P‑Well区、P+注入区、N+注入区；所述衬底P‑Sub上设有PBL区，PBL区上设有环形P‑EPI区，P‑EPI区中设有环形P‑Well区，P‑Well区中设有环形P+注入区，所述P‑EPI区内侧设有环形DN‑Well区，DN‑Well区 中设有环形N‑Well区，N‑Well区中设有N+注入区；所述N+注入区、N‑Well区、DN‑Well区、PBL区，构成全耗尽区域；所述P+注入区引出用作单光子雪崩光电二极管的阴极；所述N+注入区引出用作单光子雪崩光电二极管的阳极。